富士电机第七代X系列IGBT模块规格书

2018-07-22 13:56:02 Westpac Electronics 15
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富士电机第七代X系列IGBT模块规格书

为了防止化石燃料枯竭和全球变暖,人们不断在提高能源利用率和减少二氧化碳排放方面作出努力。工业,民生,可再生能源应用等领域,使用功率半导体器件的高效率电力变换装置,其适用领域和市场也因此急速扩大。


WESTPAC香港威柏电子|深圳市威柏德电子有限公司|FUJI富士IGBT|FUJI富士IPM

Westpac威柏技术支持总监:
王鹏 手机:15989854023 电话:027-8705 4728
电子邮件:JerryWang@westpac-hk.com.hk


第7代X系列IGBT采用了极薄的晶元制造技术(更薄的漂移层)和细微的沟槽栅结构,使导通电压和开关损耗得到进一步降低,从而使得它在损耗方面的表现比我们第六代V系列IGBT有了突飞猛进的进步。除此之外,还优化了场截止层,这能够更好的抑制电压振荡,降低了高温下的漏电流。

富士电机的第7代X系列能够在175°C条件下连续工作。这是我们在业界率先达到的标准。那是由于我们从以下三个方面进行了改进。

陶瓷绝缘基板对芯片与外壳之间的热阻影响是最大的,第7代IGBT模块进一步减小了绝缘基板的热阻。第7代使用了比Al₂O₃(氧化铝)更低热阻的AlN(氮化铝)作为绝缘基板。但是,常规AlN材料机械强度低,绝缘基板厚,具有高刚性。如果外壳温度(Tc)升高时,则施加于基板下焊锡的热应力将增加,从而降低可靠性。富士电机开发了更薄的AlN陶瓷基板,并优化陶瓷烧结条件。



新的AlN基板热阻到底能降低多少呢?



Al₂O₃基板和高散热新AIN基板的热阻比较


在相同的芯片尺寸上进行比较,新的AlN基板比Al₂O₃基板热阻降低了45%



02

高耐热硅凝胶




高耐热硅凝胶寿命和温度的关系


要保证模块有高的操作结温,在高温下,硅凝胶的可靠性必须要得到保证。富士电机开发的新硅凝胶在高温环境下放置(215°c,2000小时)没有出现裂纹。确保了X系列模块在175℃的高温下绝缘性能可以与传统产品在150℃条件下的绝缘性能具有相同的可靠性。


03

高强度焊锡的开发和绑定线直径/长度的优化




为了确保IGBT模块长期可靠性,有必要提高重复热应力的耐受能力(ΔTvj的功率循环耐量)。


在IGBT模块中,将绝缘陶瓷基板焊接在铜基板上,并且将IGBT/FWD芯片焊接在陶瓷基板上分的铜布线图案上。然后半导体芯片和铜布线图案通过铝绑定线连接构成回路。在电力变换装置运行期间,IGBT模块温度会升高,由于模块内的各种材料(铜、陶瓷、半导体芯片)的膨胀系数不同,所以在接合部位会产生机械应力。在半导体芯片的结温Tvj反复上升下降的使用条件下,会重复施加热应力至芯片上方的绑定线和芯片下方焊接部分,导致劣化。Tvj越高,劣化的进展速度越快。通过优化绑定线的直径和长度、新开发的高强度焊锡,在Tvj,max=150℃、ΔTvj=50℃条件下,第7代是第6代寿命的2倍。


通过减少损耗、高功率密度和高温工作,可以用同一封装来提升电流额定值。比如,1200系列的EP2封装中,第6代V系列的最大额定电流为50A,而在第7代X系列中,最高额定电流已扩大到75A。该效果可以在不改变的电力变换装置中的壳体尺寸的情况下增加输出功率。

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