富士电机与威柏电子展开SiC碳化硅混合模块在中国市场的推广

2015-09-20 09:42:30

富士电机与威柏电子展开SiC碳化硅混合模块在中国市场的推广

WESTPAC香港威柏电子|深圳市威柏德电子有限公司|FUJI富士IGBT|FUJI富士IPM

富士电机与威柏电子展开SiC碳化硅混合模块在中国市场的推广

富士电机松本研发本部SiC碳化硅混合模块开发负责人,富士电机中国技术部,威柏电子共同与国内风电变流器龙头企业进行SiC碳化硅混合模块应用交流。

双方就富士SiC碳化硅混合模块的技术特点,应用特点做了深入交流。

SiC碳化硅混合模块极大的降级了功率器件损耗,又可以提供可以接受的成本,是向全SiC碳化硅器件过渡的理想器件。

SiC器件具有出色的特性,能够实现高耐压、低功耗、高频动作和高温动作。使用SiC的功率半导体能够实现大幅节能和安装产品的小型化、轻量化。

特长

搭载SiC-SBD的IGBT混合模块V系列

适用高性能芯片

  • 低损耗的V系列IGBT

  • 低损耗的SiC-SBD

兼容旧款Si-IGBT模块产品封装

SiC肖特基势垒二极管

高速开关损耗特性

  • 高频工作电源、系统的小型轻量化

低VF特性

低IR特性

  • Tj=175°C、电源可在高温下动作、低损耗、高效率

高反向浪涌耐量

这是由使用 SiC 的 SBD(肖特基势垒二极管)和使用 Si 的 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)构成的混合型 SiC 模块。 额定电压从 600V 到 3300V,适用范围广,有助于各种工业设备的节能及小型化。 ·由高性能、低损耗芯片“第 6 代 V 系列 IGBT+SiC-SBD”构成 ·可大幅降低电力转换时的损耗,有助于装置的节能 ·可在高频条件下工作,实现滤波器的小型化 ·产品阵容广泛,可应对各种各样的需求 ·产品容量充实,涵盖 600V,1200V,1700V 及 3300V 耐压系列。 ·可与现有的 Si-IGBT 模块产品兼容封装

PIM(内置转换器、制动器)EconoPIM™ 600sV、1200V级

※点击产品图像即可查看等效电路图。

PackageIc600V1200V
IGBT Hybrid Modules with SiC-SBD V series
图片关键词
M712
35A
7MSR35VAB120-50
50A7MSR50VAB060-507MSR50VAB120-50
75A7MSR75VAB060-50
100A7MSR100VAB060-50

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6-Pack EconoPACK™ 1200V级

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PackageIc1200V
IGBT Hybrid Modules with SiC-SBD V series
图片关键词
M633
Solder pins
100A6MSI100VAB-120-50

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2-Pack 1200V,1700V级

※点击产品图像即可查看等效电路图。

PackageIc1200V1700V
IGBT Hybrid Modules with SiC-SBD V series
图片关键词
M274
200A2MSI200VAB-120-53
图片关键词
M276
300A2MSI300VAH-120C-53
图片关键词
M277
400A
2MSI400VAE-170-53
图片关键词
M254
300A2MSI300VAN-120-53 图片关键词
450A2MSI450VAN-120-53 图片关键词2MSI450VAN-170-53 图片关键词
550A
2MSI550VAN-170-53 图片关键词
600A2MSI600VAN-120-53 图片关键词
图片关键词
M278
1200A
2MSI1200VAT-170PC

2MSI1200VAT-170EC

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