1.2kV SiC沟槽型栅MOSFET

2018-06-30 08:28:02 Westpac Electronics

1.2kV SiC沟槽型栅MOSFET

辻   崇 ・ 岩谷 将伸 ・ 大西 泰彦
迄今为止,富士电机致力于开发SiC平面型栅MOSFET,并使其产品化。平面型栅MOSFET过度微细化后会增加JFET电阻,无法将低导通电阻降低至理论极限。相对而言,沟槽型栅MOSFET就没有类似问题,越是微细化越可以降低导通电阻。因此,我们开发了1.2kV SiC沟槽型栅MOSFET。在缩小镶边网格尺寸和优化MOS通道的同时,我们还优化了JFET领域的结构。由此,和以前相比,不仅实现降低了开关损耗,还使阈值电压提高了2.4倍,导通电阻降低了48%。


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