• 车载用高压侧型2 in 1 IPS“F5114H”

    车载用高压侧型2 in 1 IPS“F5114H”森泽 由香 ・ 鸢坂 浩志 ・ 安田 贵弘近年来,汽车领域中的电子控制,以安全、环境、节能为关键词不断进化。电装系统中使用的半导体产品除了这些关键词,还面临着小型化、高可靠性化的要求。富士电机为实现进一步的小型化,开发了车载用高压侧型2 in 1 IPS“F5114H”。在和SOP-8 封装相同尺寸的SSOP-12封装中,搭载2个和旧型产品具备相同

    2018-06-30 Westpac Electronics

  • 搭载RC-IGBT的车载用第3代直接水冷型功率模块的高功能化

    搭载RC-IGBT的车载用第3代直接水冷型功率模块的高功能化佐藤 宪一郎 ・ 榎本 一雄 ・ 长畦 文男富士电机开发出针对混合动力汽车和电动汽车的车载用第3代直接水冷型功率模块。车载用功率模块面临着低损耗化和小型化的要求。新型模块采用了水冷散热片和罩一体化的铝制水冷套和法兰结构的冷媒出入口,改善了散热性。另外,适用了IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)和F

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  • 搭载RC-IGBT的车载用第3代直接水冷型功率模块的速度提升

    搭载RC-IGBT的车载用第3代直接水冷型功率模块的速度提升高下 卓马 ・ 井上 大辅 ・ 安达 新一郎富士电机开发了搭载有薄型化RC-IGBT(逆导型IGBT),具备速度提升封装构造的车载用第3代直接水冷型模块。通过运用将IGBT和FWD单芯片化的RC-IGBT,提升了开通时和关断时的开关速度。此外,通过RC-IGBT和内部布局的优化,寄生电感相比旧型封装降低了50%。并且,通过采用三相分别设置

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  • 第2代小容量IPM的系列化

    第2代小容量IPM的系列化手塚 伸一 ・ 铃木 启久 ・ 白川  徹面向电动机驱动设备,我们在产品系列中新增了额定电流20A和30A的第2代小容量IPM。IGBT以第7代IGBT芯片技术为基础,FWD对漂移层厚度和寿命控制进行了优化,从而实现了低干扰、低损耗化,并大幅降低了元件的温升。在设想的适用对象,即标准制冷能力为14kW的整体式空调最大负载时的温升仿真中,相比第1代小容量IPM降低了约11℃

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  • 第7代“X系列”产业用RC-IGBT模块

    第7代“X系列”产业用RC-IGBT模块山野 彰生 ・ 高桥 美咲 ・ 市川 裕章近年来,IGBT模块面临着小型化、低损耗化、高可靠性化的强烈需求。为响应这一需求,富士电机运用将IGBT和回流二极管FWD 单芯片化的RC-IGBT(Reverse-Conducting IGBT:逆导型IGBT),开发出了产业用RC-IGBT 模块。同时,通过运用和优化第7 代“X系列”的技术,大幅降低了损耗和热阻

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  • 第7代“X系列”IGBT模块“Dual XT”

    第7代“X系列”IGBT模块“Dual XT”吉田 健一 ・ 吉渡 新一 ・ 川畑 润也为响应电力转换装置小型化、低损耗化、高可靠性化的要求,富士电机在第7代“X系列”IGBT模块中,开发出了扩大了额定电流的“Dual XT”(X系列Dual XT)。X系列Dual XT通过改善半导体芯片的特性,减少了电力损耗,还通过改善封装结构,提升了封装的通电能力。另外,通过提升ΔTj 功率循环耐量和绝缘用硅

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  • All-SiC模块用密封树脂的高耐热性化

    All-SiC模块用密封树脂的高耐热性化仲俣 祐子 ・ 立冈 正明 ・ 市村 裕司相比在175℃的温度下运行的传统Si 元件,SiC元件可在200℃以上的高温下运行,而为了将其普及,则要求构成功率元件的密封树脂具备更高的耐热性。我们确认到对于可最大限度地发挥SiC元件性能的All-SiC模块,通过延长耐热寿命、提升耐电痕性能等,可提高密封树脂的耐热性,实现200℃以上温度下的连续运行。全文下载:A

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  • All-SiC模块的高耐压化

    All-SiC模块的高耐压化日向 裕一朗 ・ 谷口 克己 ・ 堀  元人现在,在耐压1kV左右的领域中不断普及的SiC元件,预计将被用于混合动力汽车、电动汽车等对可靠性要求极高的领域,以及铁路等耐压3~10kV的高耐压领域中。富士电机开发了由铜柱连接和树脂密封构成的新封装结构,实现了All-SiC模块的高耐压化。根据电场仿真和热分析的结果,对绝缘基板中电极的位置和厚度进行了优化,由此兼顾了电场强度

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