适用于电动大巴及大功率变频器的2MBI800XNE-120

适用于电动大巴及大功率变频器的2MBI800XNE-120低损耗 通过减小模块内部IGBT及二极管芯片的厚度实现微细化,从而优化了模块结构。由此,与以往的产品(本公司第6代V系列)相比,减少了变频器动作时的电力损耗。变频器损耗减少10%、芯片温度降低11℃(相较于第6代V系列EP3封装75A、fc=8kHz)提高功率密度通过兼具高可靠性和高耐热性的封装及芯片的优化,实现了在175℃环境下的连续动作

适用于电动大巴及大功率变频器的2MBI800XNE-120

WESTPAC香港威柏电子|深圳市威柏德电子有限公司|FUJI富士IGBT|FUJI富士IPM

图片关键词2MBI800XNE120-50.PDF

  1. 低损耗 通过减小模块内部IGBT及二极管芯片的厚度实现微细化, 从而优化了模块结构。 由此,与以往的产品(本公司第6代V系列)相比,减少了 变频器动作时的电力损耗。 变频器损耗减少10%、芯片温度降低11℃ (相较于第6代V系列EP3封装75A、f c=8kHz)

  2. 提高功率密度

  3. 通过兼具高可靠性和高耐 热性的封装及芯片的优化, 实现了在175℃环境下的 连续动作。


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